← 資訊首页
|
货源大厅
NAND Flash 主题文章
共 4 篇 · 由
萬安算交所
资讯持续追踪
Über 400 Layer, 42 Gb/mm²: Microns G11-NAND peilt eine Verdopplung der
2026-11-05 · Die Interface-Geschwindigkeit von 5,400 MT/s bedeutet: Der Dichtesprung geht mit
Patentkrieg um 3D NAND: YMTC erstreitet in München zwei einstweilige V
2026-11-04 · Einstweilige Verfügungen eines Münchner Gerichts zu 3D-NAND-Patenten könnten Mic
Erste DRAM-Fertigung in den USA: Intel und SK hynix sollen in Verhandl
2026-11-04 · Anonymen Quellen gegenüber Reuters zufolge prüfen die Chiphersteller ein Gemeins
Gegen die DRAM-Teuerung in KI-Rechenzentren: Kioxia setzt auf schnelle
2026-11-04 · Kioxia entwickelt laut einem Bericht von TechRadar schnellere NAND-Flash-Speiche
萬安算交所 AIXX ·
进入货源大厅